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专利详情
InN材料及其太阳能电池应用
申请号：
申请公布号：
申请日：
申请公布日：
2017-01-17
申请（专利权）人：
BI193319123
专利代理机构：
分类号：
专利介绍
InN材料以及高In组分InGaN材料的生长技术，研制的InN材料电子迁移率达到935cm2/v*s，达到国际先进水平。并且已经取得了InGaN太阳能电池的制备技术。申请了多项国家发明专利。该太阳能电池采用In0.3Ga0.7N的薄膜材料，电极采用MSM结构。从图中可以看出，随着外加偏压的增大，电流响应率也随之逐渐增大。该电池的光电响应率达到2100A/W（450nm，3V）。
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